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ASML Wins Over TSMC, Samsung for New EUV Machines as AI Demand Surges
发布时间
30 天前
2026-09-08 06:05:00 UTC
源站更新
30 天前
2026-09-08 06:05:00 UTC
首次抓取
30 天前
2026-09-08 06:15:30 UTC
ASML 赢得台积电和三星对其最新 High NA EUV 光刻机的采用承诺，并推动光掩模尺寸从 6 英寸升级至 12 英寸，以应对 AI 芯片需求激增，提升生产效率和降低成本。
ASML has secured commitments from TSMC and Samsung to adopt its latest High NA EUV lithography machines, alongside a shift to larger 12-inch photomasks, aiming to boost productivity and cut costs amid surging AI demand.
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