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Samsung Electronics launches next-generation AI memory technology
发布时间
65 天前
2026-08-04 19:32:33 UTC
源站更新
65 天前
2026-08-04 19:42:53 UTC
首次抓取
65 天前
2026-08-04 19:38:01 UTC
三星电子推出新一代 AI 内存技术 V10 BV-NAND，存储密度提升约 58%，并展示业界首款 zHBM 和 zNAND-O 概念模型，旨在巩固其在 AI 芯片市场的领先地位。
Samsung Electronics unveiled its next-generation AI memory technology, the V10 BV-NAND, with over 400 layers and a 58% density increase, along with concept models for zHBM and zNAND-O, to strengthen its lead in the AI chip market.
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