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Former Samsung Electronics researcher jailed for leaking chip technology to Chinese firm
发布时间
169 天前
2026-04-22 08:58:08 UTC
源站更新
169 天前
2026-04-22 08:59:22 UTC
首次抓取
169 天前
2026-04-22 09:02:25 UTC
韩国法院判处一名前三星电子研究员七年监禁，因其向中国长鑫存储泄露 DRAM 工艺等国家核心技术并获利 29 亿韩元，此举被指助力了中国 AI 芯片技术的发展。
A South Korean court sentenced a former Samsung Electronics researcher to seven years in prison for leaking critical DRAM semiconductor technology to Chinese chipmaker CXMT, a move authorities say aided China's development of AI-related memory chips.
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